K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RAH086VP-BCWM tarafından Samsung Electronics ve K4RBH086VB-BCQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RAH086VP-BCWM K4RBH086VB-BCQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Bellek Boyutu 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Veri Hızı 5600 Mbps/pin 4800 Mbps
Besleme Gerilimi 1.1 V —
Arayüz Parallel DDR5 (CA bus, ODECC)
Technology DRAM DDR5 —
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Paket [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] FBGA-82
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Application Segment Industrial —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
RoHS Durumu unknown Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — 16 Gb
Organizasyon — 2G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin