K4RAH086VP-BCWM vs K4RBH086VB-BCQK So sánh

So sánh chi tiết song song của K4RAH086VP-BCWM bằng Samsung Electronics và K4RBH086VB-BCQK bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4RAH086VP-BCWM K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM - 16Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RAH086VP-BCWM ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4RAH086VP-BCWM K4RBH086VB-BCQK
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
Tốc độ dữ liệu 5600 Mbps/pin 4800 Mbps
Điện áp cung cấp 1.1 V —
Giao diện Parallel DDR5 (CA bus, ODECC)
Technology DRAM DDR5 —
Memory Format DRAM —
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Hộp [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] FBGA-82
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity]
Application Segment Industrial —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Trạng thái vòng đời Active —
Trạng thái RoHS unknown Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Density — 16 Gb
Tổ chức — 2G x 8
Supply Voltage (VDD) — 1.1 V
On-die ECC — Yes
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps]
Power Supply Rails — VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá