M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs EEPROM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Organizasyon 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
Besleme Gerilimi 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Arayüz Türü Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS Durumu Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
Bellek Türü — NOR Flash
Bellek Boyutu — 8 Mbit
Arayüz — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
Paket — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin