M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F800FB55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FT55M3E2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Tổ chức 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
Điện áp cung cấp 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Loại giao diện Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Trạng thái RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
Kiểu bộ nhớ — NOR Flash
Kích thước bộ nhớ — 8 Mbit
Giao diện — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
Hộp — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá