M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FB55N3F2 بذریعہ Micron Technology اور M29F800FT55M3E2 بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs EEPROM
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
تنظیم 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
سپلائی وولٹیج 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
انٹرفیس ٹائپ Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
میموری ٹائپ — NOR Flash
میموری سائز — 8 Mbit
انٹرفیس — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
پیکیج — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں