M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3E2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F800FB55N3F2 توسط Micron Technology و M29F800FT55M3E2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3E2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
سازمان 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 bit
ولتاژ تغذیه 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
نوع رابط Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
وضعیت RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (E suffix)
نوع حافظه — NOR Flash
اندازه حافظه — 8 Mbit
رابط — Parallel
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature
بسته‌بندی — 44-SO (SOP)
Density — 8389 kbits

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت