1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7146UXTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7136UXTSA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7146UXTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7136UXTSA1 1EDN7146UXTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
آؤٹ پٹس کی تعداد 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +150 C -40C to +125C
پیکیج TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product family convention) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
رائز ٹائم — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
فال ٹائم — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں