1EDN7136UXTSA1 vs 1EDN7146UXTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136UXTSA1 מאת Infineon ו 1EDN7146UXTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1EDN7146UXTSA1 1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 - 200V High-Side GaN Gate Driver | Infineon

1EDN7146UXTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1EDN7136UXTSA1 1EDN7146UXTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה High-side / Low-side gate driver IC —
Driven Device Type GaN HEMT, N-channel MOSFET —
מספר יציאות 2 (high-side and low-side) —
Peak Source Current 1 A —
Peak Sink Current 2 A —
Driver Supply Voltage (Max) 200 V —
Logic Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Active Miller Clamp Yes (integrated) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (driver supply and logic input) —
Propagation Delay (Typ) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +150 C -40C to +125C
מארז TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1) PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
נטול הלוגנים Yes (per Infineon product family convention) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Type — Single-channel high-side TDI gate driver
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
זמן עלייה — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
זמן ירידה — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר