AUIRF7640S2TR vs AUIRF7769L2TR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از AUIRF7640S2TR بذریعہ Infineon اور AUIRF7769L2TR بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر AUIRF7640S2TR AUIRF7769L2TR
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
پیکیج DirectFET SB (Surface Mount) DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] [DATA_NEEDED: min/max junction temperature]
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) Automotive HEXFET Power MOSFET (trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) AEC-Q100 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> — 375 A
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V — 3.5 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Power Dissipation at T<sub>C</sub> — 125 W
Power Dissipation at T<sub>A</sub> — 3.3 W
Profile Height — 0.7 mm
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں