AUIRF7640S2TR vs AUIRF7769L2TR השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של AUIRF7640S2TR מאת Infineon ו AUIRF7769L2TR מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר AUIRF7640S2TR AUIRF7769L2TR
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25C 5.8 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C 21 A —
Power Dissipation (PD) @ TA=25C 2.4 W —
Power Dissipation (PD) @ TC=25C 30 W —
On-Resistance RDS(on) 36 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 7.3 nC —
מארז DirectFET SB (Surface Mount) DirectFET Isometric L8 (DPAK footprint)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +150C [DATA_NEEDED: junction temp upper limit] [DATA_NEEDED: min/max junction temperature]
Technology HEXFET Power MOSFET (Automotive Grade) Automotive HEXFET Power MOSFET (trench)
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive Grade per datasheet) AEC-Q100 qualified
סטטוס RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirmed in datasheet] Compliant
Primary Application Automotive Class D audio amplifier output stage —
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub> — 375 A
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10V — 3.5 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Power Dissipation at T<sub>C</sub> — 125 W
Power Dissipation at T<sub>A</sub> — 3.3 W
Profile Height — 0.7 mm
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר