BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC076N06NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC117N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC076N06NS3GATMA1 BSC117N08NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 69 W 50 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C -55 C to +150 C (typical MOSFET junction)
پیکیج PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS Compliance Compliant —
ہیلوجن فری Yes (per Infineon product page) —
Part Number — BSC117N08NS5ATMA1
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) max — 49 A (Tc)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 11.7 mOhm
پن کی تعداد — 8
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں