H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G6NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| CAS لیٹنسی | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| خصوصیات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |