H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G6NDJR So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix và H5AN8G6NDJR bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G6NAFR-UHC | H5AN8G6NDJR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| Hộp | 96-ball FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | — | 1.26 V |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Burst Length | — | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Latency CAS | — | 22 cycles (at 3200 Mbps) |
| Access Mode | — | Multi Bank Page Burst |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| RoHS | — | Compliant |
| Tính năng | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling |