H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NCJR-VKC بذریعہ SK hynix اور H5AN8G8NDJR بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps FBGA-96 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G8NDJR H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | SK hynix

H5AN8G8NDJR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G8NDJR
برانڈ SK hynix SK hynix
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 8 Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps (MT/s) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.333 GHz —
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V 1.2 V (1.14V to 1.26V)
انٹرفیس Parallel —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +95C 0°C to +95°C (Tc)
پیکیج FBGA-96 FBGA-78 (7.5x11 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
Standby Current 28 mA —
Operating Current 45 mA —
خصوصیات Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per datasheet description) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
لائف سائیکل کی حالت Active —
Density — 8 Gb
تنظیم — 1G x 8
VDDQ — 1.2 V
VPP — 2.5 V
CAS لیٹنسی — 22 (typical)
tRCD — 22 ns
tRP — 22 ns
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
Self-Refresh Current — 30 mA (typical)
Active Standby Current — 60 mA (typical)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں