H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NDJR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| الواجهة | Parallel | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C | 0°C to +95°C (Tc) |
| العلبة | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| حالة دورة الحياة | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| التنظيم | — | 1G x 8 |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| زمن الوصول CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |