H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NCJR-VKC bằng SK hynix và H5AN8G8NDJR bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | SK hynix |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| Giao diện | Parallel | — |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +95C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Hộp | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| Tính năng | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Trạng thái vòng đời | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Tổ chức | — | 1G x 8 |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| Latency CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |