H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-VKC توسط SK hynix و H5AN8G8NDJR توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | DRAM | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| نرخ داده | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| رابط | Parallel | — |
| دمای کاری | 0C to +95C | 0°C to +95°C (Tc) |
| بسته‌بندی | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| ویژگی‌ها | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| وضعیت چرخه عمر | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 1G x 8 |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| تأخیر CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |