H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G8NDJR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN8G6NCJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN8G8NDJR מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | SK hynix |
| קטגוריה | DRAM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (MT/s) | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| ממשק | Parallel | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0°C to +95°C (Tc) |
| מארז | FBGA-96 | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| תכונות | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| סטטוס מחזור חיים | Active | — |
| Density | — | 8 Gb |
| ארגון | — | 1G x 8 |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| השהיית CAS | — | 22 (typical) |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |