IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFH5015TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP069N20NM6AKSA1 بذریعہ Infineon اور IRFH5015TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP069N20NM6AKSA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 136 A | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 15.3 A | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 6.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | — |
| پیکیج | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | N/A (through-hole package) | — |
| Tab Connection | Electrically connected to Drain | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (TJ max) |