IPP069N20NM6AKSA1 vs IRFH5015TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IPP069N20NM6AKSA1 bằng Infineon và IRFH5015TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 - 200V 136A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP069N20NM6AKSA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPP069N20NM6AKSA1 | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 136 A | 56 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 15.3 A | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 300 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 6.9 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Total Gate Charge at VGS=10V (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | PG-TO220-3-1 (TO-220-3 through-hole, 3+tab) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | N/A (through-hole package) | — |
| Tab Connection | Electrically connected to Drain | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 33 nC |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +150C (TJ max) |