IRF7389PBF vs IRF7389TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7389PBF بذریعہ Infineon اور IRF7389TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7389PBF IRF7389TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) Dual N+P Complementary Half-Bridge
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET Generation V (IR MOSFET)
پیکیج SO-8 (SOIC-8) surface mount 8-SO (SOIC-8)
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: full operating temperature range] —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Transistor Polarity — N and P Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (N-Ch, Id) — 7.3 A
Continuous Drain Current (P-Ch, Id) — -5.3 A
On-Resistance RDS(on) Max — 29 mOhm
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C
Lead Free / RoHS — Lead Free / RoHS Compliant
MSL لیول — 1
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں