IRFZ44NSTRLPBF vs FQP50N06 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFZ44NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور FQP50N06 بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFZ44NSTRLPBF FQP50N06
برانڈ Infineon onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 49 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max 17.5 mOhm at VGS=10V —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (TC) 94 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55C to +175C (junction)
پیکیج D2PAK (TO-263) TO-220-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET Planar Stripe DMOS
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free (PBF suffix) Yes —
Manufacturer — onsemi (formerly Fairchild Semiconductor)
Part Number — FQP50N06
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 50 A
Maximum Power Dissipation (PD) at Tc — 120 W
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: Rds(on) max]
On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V — 0.022 ohm
Channel Mode — Enhancement
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں