IRFZ44NSTRLPBF vs FQP50N06 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ44NSTRLPBF מאת Infineon ו FQP50N06 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFZ44NSTRLPBF | FQP50N06 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | onsemi |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 49 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 17.5 mOhm at VGS=10V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (TC) | 94 W | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.8 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +175C (junction) |
| מארז | D2PAK (TO-263) | TO-220-3 (through-hole) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET | Planar Stripe DMOS |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| Manufacturer | — | onsemi (formerly Fairchild Semiconductor) |
| Part Number | — | FQP50N06 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| Maximum Power Dissipation (PD) at Tc | — | 120 W |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) max] |
| On-Resistance Rds(on) typical at VGS=10V | — | 0.022 ohm |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Lead-Free | — | Yes |