K4A8G085WB-BCRC vs H5AN8G8NDJR-XNC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WB-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G8NDJR-XNC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WB-BCRC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | — |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 85°C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| میموری سائز | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |