K4A8G085WB-BCRC vs H5AN8G8NDJR-XNC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G085WB-BCRC توسط Samsung Electronics و H5AN8G8NDJR-XNC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G085WB-BCRC | H5AN8G8NDJR-XNC |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 1G x 8 | — |
| نرخ داده | 2400 Mbps | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | — |
| دمای کاری | 0°C to 85°C | — |
| بسته‌بندی | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit (1 G x 8) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to +95°C |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| رابط | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz (I/O clock) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |
| Status | — | Active |