K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G085WC-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ آخری بار خریداری
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | آخری بار خریداری | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gb | — |
| تنظیم | 1G x 8 | 512M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA (78FBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | DM function supported |
| انٹرفیس ٹائپ | Synchronous, parallel | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |