K4A8G085WC-BCTD vs H5AN8G6NAFR-UHC השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A8G085WC-BCTD מאת Samsung Electronics ו H5AN8G6NAFR-UHC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ רכישה אחרונה
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4A8G085WC-BCTD | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | רכישה אחרונה | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| Density | 8 Gb | — |
| ארגון | 1G x 8 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| מארז | 78-ball FBGA (78FBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| טמפרטורת פעולה | 0C to +95C | 0C to +85C |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | DM function supported |
| סוג ממשק | Synchronous, parallel | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |