MRF6V3090NR1 vs MRF6V3090NBR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6V3090NR1 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF6V3090NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6V3090NR1 MRF6V3090NBR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA —
Frequency Range 470 MHz to 1215 MHz —
Test Frequency 860 MHz —
Output Power (CW, Pout) 90 W —
Power Gain (typical) 22 dB at 860 MHz —
Drain Efficiency (typical) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
VSWR Tolerance 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW 10:1 all phase angles, 50 V, 860 MHz, 90 W CW
Input Power (Pin) [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout] —
Package Type TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink Surface Mount / Screw-Mount Chassis
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -40C to +200C (max TJ) —
تھرمل ریزسٹنس [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W] —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt] unknown
Reel Quantity (R1 suffix) 500 per reel (R1 = 500 unit reel) —
Application — RF Power Amplifier
Frequency Band — 470 MHz to 1215 MHz
Typical Output Power (CW) — 90 W at 860 MHz, 50 V
Power Gain — 22 dB at 860 MHz, 90 W CW
Drain Supply Voltage (Vdd) — 50 V DC
Drain Current (Id) — 350 mA (test condition)
پیکیج / کیس — TO-272 WB-4 (ceramic)
Configuration — Single N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement-mode
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
جنکشن سے کیس تھرمل مزاحمت — [DATA_NEEDED: theta_jc]
Lead-Free — unknown
Qualification — Not Qualified (per partstack listing)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں