MRF6V3090NR1 vs MRF6V3090NBR1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MRF6V3090NR1 توسط NXP Semiconductors و MRF6V3090NBR1 توسط NXP Semiconductors. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

NXP Semiconductors
MRF6V3090NR1 MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 - 90W RF Power LDMOS 470-1215 MHz | NXP

MRF6V3090NR1 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF6V3090NBR1 MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 - 90W RF Power LDMOS, 470-860 MHz | NXP

MRF6V3090NBR1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MRF6V3090NR1 MRF6V3090NBR1
برند NXP Semiconductors NXP Semiconductors
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS)
Technology LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA —
Frequency Range 470 MHz to 1215 MHz —
Test Frequency 860 MHz —
Output Power (CW, Pout) 90 W —
Power Gain (typical) 22 dB at 860 MHz —
Drain Efficiency (typical) [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
VSWR Tolerance 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW 10:1 all phase angles, 50 V, 860 MHz, 90 W CW
Input Power (Pin) [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout] —
Package Type TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity) —
نوع نصب Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink Surface Mount / Screw-Mount Chassis
دمای اتصال کاری -40C to +200C (max TJ) —
مقاومت حرارتی [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W] —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt] unknown
Reel Quantity (R1 suffix) 500 per reel (R1 = 500 unit reel) —
Application — RF Power Amplifier
Frequency Band — 470 MHz to 1215 MHz
Typical Output Power (CW) — 90 W at 860 MHz, 50 V
Power Gain — 22 dB at 860 MHz, 90 W CW
Drain Supply Voltage (Vdd) — 50 V DC
Drain Current (Id) — 350 mA (test condition)
بسته‌بندی / کیس — TO-272 WB-4 (ceramic)
Configuration — Single N-Channel MOSFET
Channel Mode — Enhancement-mode
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
مقاومت حرارتی اتصال-بدنه — [DATA_NEEDED: theta_jc]
Lead-Free — unknown
Qualification — Not Qualified (per partstack listing)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت