MRF6V3090NR1 vs MRF6V3090NBR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF6V3090NR1 bằng NXP Semiconductors và MRF6V3090NBR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF6V3090NR1 | MRF6V3090NBR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu transitor | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) |
| Technology | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 350 mA | — |
| Frequency Range | 470 MHz to 1215 MHz | — |
| Test Frequency | 860 MHz | — |
| Output Power (CW, Pout) | 90 W | — |
| Power Gain (typical) | 22 dB at 860 MHz | — |
| Drain Efficiency (typical) | [DATA_NEEDED: drain efficiency %] | — |
| VSWR Tolerance | 10:1, all phase angles @ 50 Vdc, 860 MHz, 90 W CW | 10:1 all phase angles, 50 V, 860 MHz, 90 W CW |
| Input Power (Pin) | [DATA_NEEDED: input drive level for 90 W Pout] | — |
| Package Type | TO-270 WB-4 (TO-272-4 family, ceramic air-cavity) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount / Flange Mount with bolt-down heatsink | Surface Mount / Screw-Mount Chassis |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -40C to +200C (max TJ) | — |
| Kháng nhiệt | [DATA_NEEDED: theta_JC value C/W] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: explicit RoHS status - ceramic flange packages typically non-RoHS-exempt] | unknown |
| Reel Quantity (R1 suffix) | 500 per reel (R1 = 500 unit reel) | — |
| Application | — | RF Power Amplifier |
| Frequency Band | — | 470 MHz to 1215 MHz |
| Typical Output Power (CW) | — | 90 W at 860 MHz, 50 V |
| Power Gain | — | 22 dB at 860 MHz, 90 W CW |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | — | 50 V DC |
| Drain Current (Id) | — | 350 mA (test condition) |
| Hộp / Vỏ | — | TO-272 WB-4 (ceramic) |
| Configuration | — | Single N-Channel MOSFET |
| Channel Mode | — | Enhancement-mode |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trục-thân热阻 | — | [DATA_NEEDED: theta_jc] |
| Lead-Free | — | unknown |
| Qualification | — | Not Qualified (per partstack listing) |