6ED003L02F2XUMA1 vs 6EDL04N02PRXUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 6ED003L02F2XUMA1 bằng Infineon và 6EDL04N02PRXUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
6ED003L02F2XUMA1 6ED003L02F2XUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC, OCP, FAULT | Infineon

6ED003L02F2XUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC, OCP, FAULT | Infineon

6ED003L02F2XUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
6EDL04N02PRXUMA1 6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 - 200V 3-Phase Gate Driver IC | Infineon

6EDL04N02PRXUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 6ED003L02F2XUMA1 6EDL04N02PRXUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type Three-phase gate driver IC 3-Phase Gate Driver IC
Cấu trúc Half-bridge, 3-phase, high-side / low-side —
Số lượng đầu ra 6 (3 high-side + 3 low-side) —
Maximum Blocking Voltage 200 V +180 V (VS referenced to GND for high side)
Supported Power Switches 180 V-class IGBTs, power MOSFETs —
Gate Drive Current (typ.) 0.375 A (source/sink) —
Output Polarity Inverting —
Over-Current Protection (OCP) Integrated comparator with FAULT output —
Enable Input Yes (hardware shutdown) —
FAULT Reporting Yes (open-drain fault output) —
Level-shift Technology LS-SOI (Infineon proprietary) —
Hộp PG-TSSOP-28 PG-TSSOP-28 (28-pin, 4.40 mm width, exposed pad)
Packaging Form Tape & Reel (XUMA1 suffix) —
Nhiệt độ hoạt động -40 C to +125 C (industrial) —
Compliance EU RoHS compliant —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Driver Configuration — Half-bridge (3 high-side + 3 low-side)
Rated Supply Voltage (VCC) — 200 V class (operating range 10 V to 20 V on VCC)
Source Current (typ.) — 0.375 A
Sink Current (typ.) — 0.75 A
Bootstrap Diode — Integrated (BSD) on all 3 high-side drivers
Over-Current Protection — Yes (single-shunt, ITRIP/CIN pin)
Enable Pin (EN) — Yes (active-high)
Fault Output (nFAULT) — Yes (active-low, open-drain)
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, 3.3 V and 5 V
Interlocking / Anti-shoot-through — Yes (built-in per phase pair)
Process Technology — Thin-film SOI (Silicon-On-Insulator)
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40 °C to +125 °C
Maximum Junction Temperature — +150 °C
Target Switches — MOSFETs up to 180 V, IGBTs up to 180 V
Cấp MSL — MSL3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: confirm level])
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá