CGD65C055SP2 vs CGD65A055S2 So sánh
So sánh chi tiết song song của CGD65C055SP2 bằng Cambridge GaN Devices và CGD65A055S2 bằng Cambridge GaN Devices. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 ✓ Hoạt độngCambridge GaN Devices
CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | CGD65C055SP2 | CGD65A055S2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| Danh mục | MOSFETs | Transistors |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices (CGD) | Cambridge GaN Devices |
| Part Number | CGD65C055SP2 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on)) | 55 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_TH) | 3 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 9 V to 20 V | — |
| Gate Turn-Off Voltage | 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN) | — |
| Technology | ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode | GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) |
| Hộp | BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank) | 16-pin DFN 8x8 mm |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) | [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 55 mΩ |
| Trực流连续电流 (TC=25°C) | — | 27 A |
| Gate Technology | — | ICeGaN™ (standard-driver compatible) |
| Current Sense Pin | — | Yes (integrated CS output) |
| Integrated Protection Circuit | — | NL³ (non-linear low-loss) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (zero, typical for GaN) |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode (normally-off) |
| Polarity | — | Single FET |