CGD65C055SP2 vs CGD65A055S2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از CGD65C055SP2 بذریعہ Cambridge GaN Devices اور CGD65A055S2 بذریعہ Cambridge GaN Devices. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 - 650V 27A GaN HEMT, BHDFN-9-1 | Cambridge GaN Devices
CGD65C055SP2 ✓ فعالCambridge GaN Devices
CGD65A055S2 - 650V 55mΩ GaN HEMT with ICeGaN Gate | Cambridge GaN Devices
CGD65A055S2 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | CGD65C055SP2 | CGD65A055S2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Cambridge GaN Devices | Cambridge GaN Devices |
| زمرہ | MOSFETs | Transistors |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Cambridge GaN Devices (CGD) | Cambridge GaN Devices |
| Part Number | CGD65C055SP2 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel GaN HEMT (Enhancement Mode, Normally-Off) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) | 27 A | — |
| On-Resistance (R_DS(on)) | 55 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_TH) | 3 V | — |
| Gate Drive Voltage Range | 9 V to 20 V | — |
| Gate Turn-Off Voltage | 0 V (genuine 0 V turn-off per ICeGaN) | — |
| Technology | ICeGaN® GaN-on-Si, enhancement-mode | GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) |
| پیکیج | BHDFN-9-1 (Bottom-side cooled, wettable flank) | 16-pin DFN 8x8 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (R_thJC) | [DATA_NEEDED: R_thJC in C/W] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (lead-free) |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 55 mΩ |
| مسلسل ڈرین کرنٹ (TC=25°C) | — | 27 A |
| Gate Technology | — | ICeGaN™ (standard-driver compatible) |
| Current Sense Pin | — | Yes (integrated CS output) |
| Integrated Protection Circuit | — | NL³ (non-linear low-loss) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (zero, typical for GaN) |
| Operating Mode | — | Enhancement-mode (normally-off) |
| Polarity | — | Single FET |