H5AN4G8NBJR-PBC vs MT40A512M8RH-083E So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-PBC bằng SK hynix và MT40A512M8RH-083E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 FBGA-78 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-PBC ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M8RH-083E MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E - 4Gb DDR4 512Mx8 2400MHz | Micron

MT40A512M8RH-083E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-PBC MT40A512M8RH-083E
Thương hiệu SK hynix Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Memory Density 4 Gbit —
Tổ chức 512M x 8 512M x 8
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Loại giao diện Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Hộp 78-ball FBGA 78-ball FBGA (9 x 10.5 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) —
Lead Free Yes —
Đông trùng haogen Yes —
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC 64 ms, 8192-cycle refresh (to 95C)
Density — 4 Gbit
Industry Speed Grade — DDR4-2400
Clock Rate — 1.2 GHz
Internal Banks — 8 banks (2 groups of 4)
Prefetch — 8n-bit
VDD / VDDQ — 1.2 V +/-60 mV
VPP — 2.5 V, -125 mV/+250 mV
I/O Structure — 1.2 V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die internal, adjustable generation
Nhiệt độ hoạt động — 0C to +95C
FBGA Code — D9TGG
Marking Code — D9TGG
Data Strobe Preamble — Programmable
Trạng thái RoHS — Compliant
Latency CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency per speed bin table]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá