NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN 比較
詳細並排比較 NT6AN8T6WBJ1B1 由 Nanya Technology 與 AS4C512M16D4A-62BCN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
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AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | NT6AN8T6WBJ1B1 | AS4C512M16D4A-62BCN |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Alliance Memory |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 記憶體容量 | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| 資料速率 | 3200 MT/s | 1600 MHz (3200 Mbps) |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS 延遲 | 22 cycles | 18 ns |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| 工作溫度 | 0C to +95C (TC) | 0°C to 95°C |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | Compliant |
| 組織 | — | 512M x 16 |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| JEDEC Standard | — | Compliant |
| 介面 | — | POD (Pseudo Open Drain) |
| Packaging | — | Tray |