NT6AN8T6WBJ1B1 vs AS4C512M16D4A-62BCN So sánh

So sánh chi tiết song song của NT6AN8T6WBJ1B1 bằng Nanya Technology và AS4C512M16D4A-62BCN bằng Alliance Memory. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ Hoạt động
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT6AN8T6WBJ1B1 AS4C512M16D4A-62BCN
Thương hiệu Nanya Technology Alliance Memory
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s 1600 MHz (3200 Mbps)
Điện áp cung cấp 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Latency CAS 22 cycles 18 ns
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
Hộp 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13 mm)
Nhiệt độ hoạt động 0C to +95C (TC) 0°C to 95°C
Refresh Auto-refresh, self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Tổ chức — 512M x 16
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Giao diện — POD (Pseudo Open Drain)
Packaging — Tray

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá