1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MU12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDI60N12AFXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3124MU12HXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
تكوين الخرج Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns 120 ns
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
العلبة PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Creepage Distance >8 mm —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Single high-side, galvanically isolated
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر