1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1ED3124MU12HXUMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDI60N12AFXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1ED3124MU12HXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
آؤٹ پٹ کنفیگریشن Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns 120 ns
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
پیکیج PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Creepage Distance >8 mm —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Driver Configuration — Single high-side, galvanically isolated
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -40C to +125C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں