1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MU12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDI60N12AFXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MU12HXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
Çıkış Konfigürasyonu Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns 120 ns
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
Paket PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Creepage Distance >8 mm —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Configuration — Single high-side, galvanically isolated
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)
İşletim Sıcaklığı — -40C to +125C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin