1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3124MU12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EDI60N12AFXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ פעילInfineon
1EDI60N12AFXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source/9.4A Sink | Infineon
1EDI60N12AFXUMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | 1ED3124MU12HXUMA1 | 1EDI60N12AFXUMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Single-channel isolated gate driver IC | — |
| Manufacturer Family | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) | — |
| Peak Output Current (source/sink) | 14 A typical | — |
| תצורת מוצא | Separate source and sink pins | — |
| Galvanic Isolation (rms) | 5.7 kV (UL 1577) | — |
| Working Voltage (continuous) | 1200 V | — |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | 200 kV/us minimum | — |
| Propagation Delay (typ.) | 90 ns | 120 ns |
| UVLO Threshold | 10.5 V | — |
| Isolation Technology | Coreless transformer (CT) | — |
| מארז | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) | PG-DSO-8-51 (DSO-8) |
| Creepage Distance | >8 mm | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40C to +125C | — |
| Target Switch Types | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET | — |
| Recommended Switch Class | Up to 2300 V IGBT / SiC modules | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Driver Configuration | — | Single high-side, galvanically isolated |
| Number of Channels | — | 1 |
| Isolation Type | — | Magnetic (coreless transformer) |
| Isolation Voltage | — | 1200 V working voltage |
| Maximum Output Voltage | — | 40 V |
| Source Current (typ.) | — | 10 A |
| Sink Current (typ.) | — | 9.4 A |
| Supply Voltage (VDD) | — | 3.1 V to 17 V |
| Input Logic Compatibility | — | 3.3 V and 5 V CMOS/TTL |
| Creepage Distance (min.) | — | 4 mm |
| Short-Circuit Clamping | — | Yes (separate sink/source outputs) |
| טמפרטורת פעולה | — | -40C to +125C |