1ED3124MU12HXUMA1 vs 1EDI60N12AFXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MU12HXUMA1 توسط Infineon و 1EDI60N12AFXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3124MU12HXUMA1 1EDI60N12AFXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel isolated gate driver IC —
Manufacturer Family EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) —
Peak Output Current (source/sink) 14 A typical —
پیکربندی خروجی Separate source and sink pins —
Galvanic Isolation (rms) 5.7 kV (UL 1577) —
Working Voltage (continuous) 1200 V —
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 200 kV/us minimum —
Propagation Delay (typ.) 90 ns 120 ns
UVLO Threshold 10.5 V —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) —
بسته‌بندی PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) PG-DSO-8-51 (DSO-8)
Creepage Distance >8 mm —
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
Target Switch Types IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET —
Recommended Switch Class Up to 2300 V IGBT / SiC modules —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL2 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Single high-side, galvanically isolated
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic (coreless transformer)
Isolation Voltage — 1200 V working voltage
Maximum Output Voltage — 40 V
Source Current (typ.) — 10 A
Sink Current (typ.) — 9.4 A
Supply Voltage (VDD) — 3.1 V to 17 V
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS/TTL
Creepage Distance (min.) — 4 mm
Short-Circuit Clamping — Yes (separate sink/source outputs)
دمای کاری — -40C to +125C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت