1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED44175N01BXTSA1 بواسطة Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED44175N01BXTSA1 1ED3124MC12HXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
دبوس التمكين Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمن الصعود — 15 ns
زمن السقوط — 30 ns
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر