1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED44175N01BXTSA1 توسط Infineon و 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED44175N01BXTSA1 1ED3124MC12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
پین فعال‌سازی Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
بسته‌بندی PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-DSO-8 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
تعداد خروجی‌ها — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 30 ns
دمای کاری — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت