1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED44175N01BXTSA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
1ED44175N01BXTSA1 - 25V 2.6A Low-Side IGBT Gate Driver | Infineon
1ED44175N01BXTSA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1ED44175N01BXTSA1 | 1ED3124MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Fonksiyon | Low-side gate driver | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Gate Type | IGBT, MOSFET (single-channel) | — |
| Configuration | Non-inverting | High-side / Low-side (non-inverting) |
| Output Current (Source/Sink) | 2.6 A typical | — |
| Supply Voltage Range | Up to 25 V | — |
| Logic Input Compatibility | CMOS, LSTTL | — |
| Over-Current Protection (OCP) | Integrated (OCP pin) | — |
| FAULT Output | Yes (status reporting) | — |
| Etkin Pin | Yes | — |
| Rise/Fall Time | [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] | — |
| Propagation Delay | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Paket | PG-SOT23-6-3 (6-lead) | PG-DSO-8 (DSO-8) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS (latch-up immune) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Channel Type | — | Single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 13.5 A |
| Peak Sink Current | — | 14 A |
| Isolation Technology | — | Magnetic coupling (coreless transformer) |
| Isolation Voltage (RMS) | — | 5.7 kV |
| Transient Overvoltage | — | 8000 Vpk |
| Supply Voltage (VCC2) | — | 10.5 V to 35 V |
| Supply Current (Max) | — | 1.1 mA |
| Propagation Delay (Typ) | — | 90 ns |
| Artış Süresi | — | 15 ns |
| Düşüş Süresi | — | 30 ns |
| İşletim Sıcaklığı | — | -40 C to +125 C |
| Protections | — | UVLO, Short-Circuit (DESAT) |
| Target Devices | — | IGBT, SiC MOSFET |