1ED44175N01BXTSA1 vs 1ED3124MC12HXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED44175N01BXTSA1 מאת Infineon ו 1ED3124MC12HXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED44175N01BXTSA1 1ED3124MC12HXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Low-side gate driver —
Number of Channels 1 —
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting High-side / Low-side (non-inverting)
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
פין הפעלה Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
מארז PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-DSO-8 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Channel Type — Single-channel
Number of Drivers — 1
מספר יציאות — 1
Peak Source Current — 13.5 A
Peak Sink Current — 14 A
Isolation Technology — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (RMS) — 5.7 kV
Transient Overvoltage — 8000 Vpk
Supply Voltage (VCC2) — 10.5 V to 35 V
Supply Current (Max) — 1.1 mA
Propagation Delay (Typ) — 90 ns
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 30 ns
טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Protections — UVLO, Short-Circuit (DESAT)
Target Devices — IGBT, SiC MOSFET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר