1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDB9275FXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
تكوين الخرج High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر