1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDB9275FXUMA1 توسط Infineon و 1ED020I12B2XUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
پیکربندی خروجی High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
محدوده دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
دمای کاری — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت