1EDB9275FXUMA1 vs 1ED020I12B2XUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDB9275FXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED020I12B2XUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDB9275FXUMA1 1ED020I12B2XUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Isolated single-channel gate driver (high-side, inverting) —
Number of Channels 1 1
Çıkış Konfigürasyonu High-side half-bridge —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Input Voltage (VDD) 3 V to 15 V —
Isolation Voltage (Vrms) 3 kVrms 4500 Vrms
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) 300 V/ns —
Clamping Response Time 20 ns —
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Logic Inverting —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8 (150 mil) PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL-3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant —
Isolation Technology Coreless transformer (CT) Coreless transformer (magnetic coupling)
Driver Type — Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated
Output Current (typ.) — 2 A source / 2 A sink
Propagation Delay (typ.) — 35 ns
Supported Switch Voltage Class — Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET
DESAT Protection — Yes (programmable threshold)
Miller Clamp — Yes (integrated 2 A clamp FET)
Input Supply (VCC1) — 5 V (logic side)
Output Supply (VCC2) — Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V
Creepage Distance — 8 mm
İşletim Sıcaklığı — -40 °C to +125 °C
Compliance — RoHS compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin