27C512-10 vs 27C512-25 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 27C512-10 بواسطة Texas Instruments و 27C512-25 بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Texas Instruments
27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments
27C512-10 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | 27C512-10 | 27C512-25 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Microchip Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | Obsolete |
| حجم الذاكرة | 512 Kbit | — |
| التنظيم | 64K x 8 | — |
| نوع الذاكرة | OTP EPROM (CMOS) | CMOS EPROM (UV / OTP) |
| Access Time (Speed Grade -10) | 100 ns | — |
| Supply Voltage (VCC) | +5 V with +/-10% tolerance | — |
| Programming Voltage (VPP) | +12.5 V | — |
| Standby Current | 20 uA typical (CMOS standby) | — |
| Operating Mode | Totally static operation | Asynchronous |
| الواجهة | Parallel, TTL compatible | — |
| Address Lines | 15 (A0-A14) | — |
| Data Lines | 8 (Q0-Q7), tri-state outputs | — |
| Control Signals | /E (chip enable), /G (output enable) | — |
| Pinout Standard | JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout | JEDEC-approved 28-pin |
| العلبة | 28-pin DIP | DIP-28 |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| Erase Method | One-Time Programmable (not erasable) | UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Organization | — | 64K x 8 (524,288 bits) |
| Maximum Access Time | — | 250 ns |
| Supply Voltage (Read Mode) | — | 5 V +/- 10% |
| Standby Current (CMOS) | — | 20 uA typical |
| نوع الخرج | — | 3-state, common I/O |
| Programming Method | — | High-voltage EPROM programming (Flashrite type) |
| Access Time Guarantee | — | Any byte in less than 250 ns |
| Technology | — | CMOS floating gate |