27C512-10 vs 27C512-25 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 27C512-10 توسط Texas Instruments و 27C512-25 توسط Microchip Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Texas Instruments
27C512-10 27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 - 512Kbit (64Kx8) 100ns CMOS EPROM | Texas Instruments

27C512-10 ✗ پایان تولید
Microchip Technology
27C512-25 27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 - 512Kbit 64Kx8 CMOS EPROM 250ns | Microchip

27C512-25 Obsolete

مقایسه مشخصات

پارامتر 27C512-10 27C512-25
برند Texas Instruments Microchip Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر پایان عمر محصول Obsolete
اندازه حافظه 512 Kbit —
سازمان 64K x 8 —
نوع حافظه OTP EPROM (CMOS) CMOS EPROM (UV / OTP)
Access Time (Speed Grade -10) 100 ns —
Supply Voltage (VCC) +5 V with +/-10% tolerance —
Programming Voltage (VPP) +12.5 V —
Standby Current 20 uA typical (CMOS standby) —
Operating Mode Totally static operation Asynchronous
رابط Parallel, TTL compatible —
Address Lines 15 (A0-A14) —
Data Lines 8 (Q0-Q7), tri-state outputs —
Control Signals /E (chip enable), /G (output enable) —
Pinout Standard JEDEC-approved 28-pin EPROM pinout JEDEC-approved 28-pin
بسته‌بندی 28-pin DIP DIP-28
نوع نصب Through Hole Through Hole
Erase Method One-Time Programmable (not erasable) UV (windowed variant) or not erasable (OTP variant)
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
وضعیت RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Memory Organization — 64K x 8 (524,288 bits)
Maximum Access Time — 250 ns
Supply Voltage (Read Mode) — 5 V +/- 10%
Standby Current (CMOS) — 20 uA typical
نوع خروجی — 3-state, common I/O
Programming Method — High-voltage EPROM programming (Flashrite type)
Access Time Guarantee — Any byte in less than 250 ns
Technology — CMOS floating gate

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت